“对了，还有一个专家给我提意见，说华夏芯片产业要崛起，最好押注fdi技术，我听了感觉很有道理，就是不知道真的假的，我毕竟不是这方面的专家。”周石
“绝缘衬底上的硅（i），胡正明教授在199年提出了ffet概念，并且在2000年提出了fdi。简单的说这两种方案的区别就是ffet设计复杂，fdi的晶圆成本更高，但是在高频，低功耗，抗静电等方面有明显的优势。不过台积电和英特尔都是推崇ffet，主导i的联盟主要有等，双方的实力还是有差距的。”张宇京
主导一个技术发展的原因有很多，产业链的配合是重点。再说了英特尔和台积电都是芯片制造设备采购的大户，从投资角度来看，肯定是需求决定市场。没有实力就没有选择，特许半导体是可以做这方面的积累，但是一个企业要想去改变行业发展的方向无异于天荒夜谈。
“这两种技术其实殊途同归，fdi工艺技术到7n工艺节点时，i也将从2d发展到3d，即发展为iffet工艺，他们不是完全对立的。”张宇京继续说
“你刚刚说i技术在低功耗上有优势？”周石
“没错，这是因为”张宇京对此信手拈来
ffet目前在高密集运算（能耗大，比较热）占据上风，但fd－i却在低功耗，防辐射，低软错误率，耐高温和ec，和车载可靠性方面有着无可比拟的优势，相对来说i技术更适合车联网，物联网，智能穿戴设备等等。换句话说，它们一个是现在，另外一个是未来，起码对特许半导体是这样。
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